利用理想二极管和热插拔控制器隔离电源故障

用肖特基二极管实现多电源系统有多种方式。例如，μTCA网络及存储服务器等高可用性电子系统都在其冗余电源系统中采用了肖特基二极管“或”电路。二极管“或”电路还用于采用备用电源的系统，例如AC交流适配器和备份电池馈送。问题是，肖特基二极管由于正向压降而消耗功率，所产生的热量必须用PCB上专门的铜箔区散出，或者通过由螺栓固定到二极管上的散热器散出，这两种散热方式都需要占用很大的空间。

凌力尔特公司的一个产品系列用外部N沟道MOSFET作为传递组件，最大限度地降低了功耗，从而在这些MOSFET接通时，最大限度地减小了从电源到负载的压降，这个产品系列包括 LTC4225、LTC4227和LTC4228。当输入电源电压降至低于输出共模电源电压时，关断适当的MOSFET，从而使功能和性能上与理想二极管匹配。

如图1所示，通过增加一个电流检测电阻器，并配置两个具备单独栅极控制的背对背MOSFET，LTC4225凭借浪涌电流限制和过流保护提高了理想二极管的性能。这就允许电路板安全地插入或从带电背板拔出，而不会损坏连接器。LTC4227可以这样使用：在并联连接的理想二极管MOSFET之后，增加电流检测电阻器和热插拔(Hot Swap) MOSFET，以节省一个 MOSFET。通过在理想二极管和热插拔MOSFET之间配置检测电阻器，LTC4228比LTC4225有了改进，LTC4228能更快地从输入电压欠压中恢复，以保持输出电压不变。

图1：采用检测电阻器和外部N沟道MOSFET的LTC4225、LTC4227和LTC4228的不同配置* ADDITIONAL DETAILS OMITTED FOR CLARITY：* 为清晰起见，略去了一些细节

LTC4225-1、LTC4227-1和LTC4228-1具备锁断电路断路器，而LTC4225-2、LTC4227-2和LTC4228-2提供故障后自动重试功能。LTC4225、LTC4227和LTC4228的两种版本均分别采用24 引脚、20引脚和28引脚4mm x 5mm QFN以及SSOP封装。理想二极管控制

LTC4225和LTC4228用一个内部栅极驱动放大器监视IN和OUT引脚 (就LTC4227而言是IN和SENSE+引脚) 之间的电压，起到了理想二极管的作用，该放大器驱动DGATE引脚。当这个放大器检测到大的正向压降(图2) 时，就快速拉高DGATE引脚，以接通MOSFET，实现理想二极管控制。

图2：当IN电源接通时，拉高理想二极管控制器CPO和DGATE引脚

CPO和IN引脚之间连接的外部电容器提供理想二极管MOSFET快速接通所需的电荷。在器件加电时，内部充电泵给这个电容器充电。DGATE引脚提供来自CPO引脚的电流，并将电流吸收到IN和GND引脚中。栅极驱动放大器控制DGATE引脚，以跟随检测电阻器和两个外部N沟道MOSFET上的正向压降，直至25mV。

如果负载电流引起超过25mV的压降，那么栅极电压就上升，以加强用于实现理想二极管控制的MOSFET。在MOSFET导通时，如果输入电源短路，那么会有很大的反向电流开始从负载流向输入。故障一出现，栅极驱动放大器就会检测到故障情况，并拉低DGATE， 以断开理想二极管MOSFET。热插拔控制

拉高ON引脚并拉低/EN引脚，就启动了一个100ms的防反跳定时周期。在这个定时周期结束之后，来自充电泵的10μA电流使HGATE引脚斜坡上升。当热插拔MOSFET接通时，浪涌电流被限制到由外部检测电阻器设定的值上，就LTC4225而言，该电阻器连接在IN和SENSE引脚之间 (就LTC4227和LTC4228而言，是SENSE+和SENSE-引脚)。有源电流限制放大器伺服 MOSFET的栅极，这样电流检测放大器上就会出现65mV的电压。如果检测电压高于50mV的时间超过了在TMR引脚端配置的故障过滤器延迟时间，那么电路断路器就断开，并拉低HGATE。如果需要，可以在HGATE和GND之间增加一个电容器，以进一步降低浪涌电流。当MOSFET栅极的过驱动 (HGATE至OUT的电压) 超过4.2V时，拉低/PWRGD引脚 (图 3)。

图3：当ON引脚切换到高电平时，在100ms延迟之后，热插拔控制器HGATE启动，PWRGD被拉低理想二极管和热插拔控制相结合

在一个采用冗余电源的典型μTCA应用中 (图4和9)，在背板上对输出进行二极管“或”，以不用断开系统电源，就可以取出或插入板卡。LTC4225和LTC4228都包括理想二极管和热插拔控制器，非常适用于这类应用，这些器件在两个电源之间提供平滑的电源切换，还提供过流保护。

图4：在μTCA应用中，LTC4225为两个μTCA插槽提供12V电源PLUG-IN CARD-1：插入式板卡 1BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR：降压模式电源旁路电容器BACKPLANE：背板

如果主电源掉电，那么控制器就快速响应，以断开主电源通路中的理想二极管MOSFET，并接通冗余电源通路中的MOSFET，从而向输出负载提供平滑的电源切换。热插拔MOSFET保持接通，这样这些MOSFET就不会影响电源切换。当各自的ON引脚被拉低，或/EN引脚被拉高时，控制器断开热插拔MOSFET。当在输出端检测到过流故障时，热插拔MOSFET的栅极被快速拉低，之后输出就稳定在电流限制值上，直至由TMR引脚电容器设定的故障过滤器延迟超时为止。热插拔MOSFET断开，/FAULT引脚锁定在低电平，以指示出现了故障。通过将ON引脚拉至低于0.6V，可以使电子电路断路器复位。

电源优先级

在传统的二极管“或”多电源系统中，由电压较高的输入电源给输出供电，同时挡住电压较低的电源。这种简单的解决方案满足了应用的需求，在这应用中，电源的优先权不仅是电压较高的电源就优先的问题。图5显示了一个备份电源系统，在这个系统中，无论何时，只要5V主电源(INPUT1)可用，就由该电源给输出供电，而12V备份电源(INPUT2)仅当主电源无法提供时才会使用。

只要INPUT1高于由ON1引脚端的R1-R2分压器设定的4.3V UV门限，MH1就接通，从而将INPUT1连接到输出。当MH1接通时，/PWRGD1变低，这又将ON2拉低，并通过断开MH2来停用IN2通路。如果主电源无法提供，且INPUT1降至低于4.3V，那么ON1就断开MH1，且/PWRGD1变高，从而允许ON2接通MH2，并将INPUT2连接到输出。在任何情况下，理想二极管MOSFET MD1和MD2都要防止一个输入到另一个输入的反向馈送。

图5：用 LTC4225实现以IN1作为优先输入的双通道电源优先级区分器PRIMARY SUPPLY：主电源BACKUP SUPPLY：备份电源

交换电源端和负载端的二极管和热插拔FET

LTC4225允许采用背对背MOSFET的应用将在电源端的MOSFET配置为理想二极管，在负载端的MOSFET配置为热插拔控制器(图 4)，反之亦然(图6)。图6中，在MOSFET的GATE和SOURCE引脚之间也许需要一个外部齐纳二极管来箝位，以在MOSFET的栅源电压额定值低于20V时防止MOSFET击穿。无论是按照那安排，LTC4225凭借理想二极管在IN和OUT引脚之间的“或”连接，都能平滑地在电源之间切换。

图6：用LTC4225实现在电源端具备热插拔MOSFET、在负载端具备理想二极管MOSFET的应用BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR：降压模式电源旁路电容器PLUG-IN CARD1：插入式板卡1BACKPLANE：背板

双理想二极管和单热插拔控制器

图7显示了LTC4227的应用，其中检测电阻器放置在并联连接的双电源理想二极管MOSFET之后，检测电阻器之后是单个热插拔MOSFET。图中，在故障超时之前，LTC4227以1x电流限制调节过载输出，而不像LTC4225二极管“或”应用那样是以2x电流限制。因此，在过载情况下，功耗降低了。

图7：用LTC4227

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